提高芯片电流保护能力 芯原“一种多用途芯片静电保护方法”专利获授权

国家知识产权局消息显示，芯原“一种多用途芯片静电保护方法”专利获授权，授权公告日为6月11日。

专利摘要显示，本方法包括：将闲置I/O分布于各种封装的有效I/O中，通过系统设置所述闲置I/O为三态I/O，将所述三态I/O与所述有效I/O一起封装以提高所述有效I/O的静电保护能力，其中，所述有效I/O包括有效I/O引脚、有效电源引脚及有效地引脚。

本发明的多用途芯片静电保护方法有效利用了多用途芯片中的闲置I/O，将闲置I/O设置为静电保护电路，并与有效I/O一起封装，提高了芯片的电流保护能力，同时减少漏电、不增大芯片面积。